Buffered oxide etch

Le buffered oxide etch est une solution gravante utilisée en micro-fabrication. Cette solution est principalement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium ou de nitrure de silicium.



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Micro-électronique - Électronique - Composé du fluor

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Le buffered oxide etch (BŒ - oxyde gravant tamponné) est une solution gravante utilisée en micro-fabrication. Cette solution est principalement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium (SiO2) ou de nitrure de silicium (Si3N4).

Elle se compose d'un tampon, comme du fluorure d'ammonium (NH4F), et d'acide fluorhydrique (HF).

Utilité

Dans le cas des couches minces, l'acide fluorhydrique concentré (généralement 49% d'eau) réagit énormément trop vite avec le dioxyde de silicium pour avoir un bon contrôle sur la réaction. L'utilisation du BŒ sert à rendre l'acide fluorhydrique légèrement moins réactif, et par conséquent d'avoir un meilleur contrôle sur la réaction[1].

Caractéristiques

On trouve le plus souvent le BŒ dans un ratio 6 :1 entre le fluorure d'ammonium et l'acide flourhydrique. Ce type de solution est capable de graver une couche d'oxyde développé thermiquement avec un taux de 2nm par seconde, à 25 °C.

Notes et références

  1. (en) S. Wolf, Silicon Processing for the VLSI Era : Volume 1 - Process Technology, 1986 (ISBN 0-961672-3-7) , p.  532-533

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